氮化鎵 (氮化鎵) 到處都有充電器 這些 2020. 這種現代的矽替代品意味著更小, 更高效的充電器和電源磚即將問世. 運作方式如下.
氮化鎵充電器的優點
GaN充電器在物理上小於電流充電器. 這是因為氮化鎵充電器不需要的組件數量比矽充電器要多. 該材料能夠隨時間傳導比矽高得多的電壓.
GaN充電器不僅在傳輸電流方面更有效, 但這也意味著更少的能量損失在熱量上. 所以, 您嘗試充電的能量更多. 當組件更有效地將能量傳遞到設備時, 通常您需要的更少.
現在, GaN半導體的價格通常比矽貴. 然而, 由於效率提高, 減少了對其他材料的依賴, 像散熱器, 過濾器, 和電路元件. 一個製造商 估計節省了 10 至 20 這個區域的百分比. 一旦實現大規模生產的經濟利益，這將進一步改善.
您甚至可以節省電費，因為更高效的充電器意味著更少的能源浪費. 不要期望功率相對較低的設備發生巨大變化, 像筆記本電腦和智能手機, 雖然.
什麼是氮化鎵?
氮化鎵是一種半導體材料，在1990年代通過製造LED成為人們關注的焦點。. GaN用於製造首批白色LED, 藍色激光, 和全彩LED顯示屏，您可以在日光下看到. 在藍光DVD播放機中, GaN產生藍光，可從DVD讀取數據.
看來GaN很快將在許多領域取代矽. 矽製造商數十年來不懈地努力來改進矽基晶體管. 根據 摩爾定律 (以飛兆半導體的聯合創始人和, 後來, 英特爾首席執行官, 戈登·摩爾), 集成矽電路中的晶體管數量每兩年翻一番.
這項觀察是在 1965, 這在很大程度上適用於最後 50 年份. 在 2010, 雖然, 半導體行業的發展首次低於這個速度. 許多分析師 (和摩爾自己) 預測摩爾定律將過時 2025.
氮化鎵晶體管的生產在 2006. 改進的製造工藝意味著GaN晶體管可以在與硅類型相同的設備中製造. 這可以降低成本，並鼓勵更多的矽製造商使用GaN生產晶體管。.
氮化鎵為何優於矽?
與硅相比，GaN的優勢歸結為功率效率. 作為GaN系統, 專門從事氮化鎵的製造商, 解釋:
“所有半導體材料都有所謂的帶隙. 這是固體中沒有電子可以存在的能量範圍. 簡單的說, 帶隙與固體材料的導電性能有關. 氮化鎵具有 3.4 eV帶隙, 與硅的相比 1.12 eV帶隙. 氮化鎵的帶隙較寬，這意味著它可以承受比矽更高的電壓和更高的溫度。”
高效電力轉換公司, 另一家GaN製造商, 陳述 GaN能夠傳導電子 1,000 效率比矽高出十倍, 並降低製造成本, 開機.
帶隙效率更高意味著電流通過GaN芯片的速度比矽芯片快. 將來可能會導致更快的處理能力. 簡單的說, 由GaN製成的芯片將更快, 較小的, 更加節能, 和 (最終) 比矽制的便宜.
未來的充電器
大型硬件製造商可能不會在野外看到很多GaN充電器, 像蘋果和三星, 開始將它們包括在他們的新計算機和智能手機中.
想一想-您最後一次購買充電器是什麼時候? 您的房屋或辦公室周圍插入了多少個充電器？?
如果您決定立即開始享受GaN的充電優勢, 您無需支付通常與尖端技術相關的額外費用.
